IRF6811STRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6811STRPBF
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型号 IRF6811STRPBF
制造商 Infineon
描述 Single N-Channel 25 V 3.7 mOhm 11 nC HEXFET? Power Mosfet DirectFET?
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 38548 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.1V @ 35µA
Vgs(最大):±16V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DIRECTFET™ SQ
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:3.7 mOhm @ 19A, 10V
功率耗散(最大):2.1W (Ta), 32W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:DirectFET™ Isometric SQ
其他名称:IRF6811STRPBF-ND
IRF6811STRPBFTR
SP001530224
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1590pF @ 13V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:17nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):25V
详细说明:N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
电流 - 25°C连续排水(Id):19A (Ta), 74A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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