IRF6635TR1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6635TR1PBF
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型号 IRF6635TR1PBF
制造商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 50020 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.35V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DIRECTFET™ MX
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.8 mOhm @ 32A, 10V
功率耗散(最大):2.8W (Ta), 89W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:DirectFET™ Isometric MX
其他名称:IRF6635TR1PBFCT
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5970pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:71nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
电流 - 25°C连续排水(Id):32A (Ta), 180A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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