IRF6623
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRF6623 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | A 20V Single N-channel Hexfet Power Mosfet in A Directfet St Packagerated At 55 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.74 | $1.571 | $1.417 | $1.386 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DIRECTFET™ ST |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 1.4W (Ta), 42W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | DirectFET™ Isometric ST |
| 其他名称: | *IRF6623 IRF6623CT |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1360pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 16A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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