IRF6618TRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRF6618TRPBF |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | A 30V N-channel Hexfet Power Mosfet With 20 Volt Gate in The Directfet Mt Packag |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.458 | $1.316 | $1.187 | $1.161 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.35V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DIRECTFET™ MT |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | DirectFET™ Isometric MT |
| 其他名称: | IRF6618TRPBFTR SP001529242 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 5640pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 65nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | N-Channel 30V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 30A (Ta), 170A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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