IRF3709LPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3709LPBF
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型号 IRF3709LPBF
制造商 Infineon
描述 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 43995 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-262
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:9 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):3.1W (Ta), 120W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名称:*IRF3709LPBF
SP001561748
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2672pF @ 16V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:41nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262
电流 - 25°C连续排水(Id):90A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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