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IRF100B201

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF100B201
图片只作为参考
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型号 IRF100B201
制造商 Infineon
描述 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 10850 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$2.17$1.958$1.766$1.728
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目标价：(USD)
数量：
合计：
$2.17

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220AB
系列:HEXFET®, StrongIRFET™
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:4.2 mOhm @ 115A, 10V
功率耗散（最大）:441W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
其他名称:SP001561498
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:9500pF @ 50V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:255nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:10V
漏极至源极电压（Vdss）:100V
详细说明:N-Channel 100V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB
电流 - 25°C连续排水（Id）:192A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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