IPN50R2K0CEATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN50R2K0CEATMA1
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型号 IPN50R2K0CEATMA1
制造商 Infineon
描述 INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 51356 pcs
参考价格
(美元)
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$0.286$0.258$0.233$0.228
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:3.5V @ 50µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PG-SOT223
系列:CoolMOS™ CE
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:2 Ohm @ 600mA, 13V
功率耗散(最大):5W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-223-3
其他名称:IPN50R2K0CEATMA1-ND
IPN50R2K0CEATMA1TR
SP001461194
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:124pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:6nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):13V
漏极至源极电压(Vdss):500V
详细说明:N-Channel 500V 3.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
电流 - 25°C连续排水(Id):3.6A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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