IPB065N15N3GE8187ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1
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型号 IPB065N15N3GE8187ATMA1
制造商 Infineon
描述 Mosfet N-ch 150V 130A TO263-7
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 15152 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$2.766$2.497$2.252$2.203
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数量:
合计:
$2.766

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 270µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PG-TO263-7
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:6.5 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):300W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
其他名称:IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
SP000939336
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:7300pF @ 75V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:93nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):8V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):150V
详细说明:N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
电流 - 25°C连续排水(Id):130A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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