HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | HN4B01JE(TE85L,F) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.46 | $0.331 | $0.257 | $0.195 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.138 | $0.11 | $0.085 | |||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 晶体管类型: | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| 供应商设备封装: | ESV |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 100mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | SOT-553 |
| 其他名称: | HN4B01JE(TE85LF)CT |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 80MHz |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 120 @ 10MA, 100MA |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 100nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 150mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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