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HGTP20N60A4

onsemi

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型号 HGTP20N60A4
制造商 onsemi
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 70A 290W TO220AB
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 20290 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$2.584$2.333$2.104$2.058
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数量：
合计：
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.7V @ 15V, 20A
测试条件:390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:15ns/73ns
开关能量:105µJ (on), 150µJ (off)
供应商设备封装:TO-220AB
系列:-
功率 - 最大:290W
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
其他名称:HGTP20N60A4_NL
HGTP20N60A4_NL-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:142nC
详细说明:IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-220AB
电流 - 集电极脉冲（ICM）:280A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:70A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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