GSID100A120T2C1
Global Power Technologies Group
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| 型号 | GSID100A120T2C1 |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technologies Group |
| 描述 | SILICON IGBT MODULES |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 6 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $134.922 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 1200V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 2.1V @ 15V, 100A |
| 供应商设备封装: | Module |
| 系列: | Amp+™ |
| 功率 - 最大: | 640W |
| 封装/箱体: | Module |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C |
| NTC热敏电阻: | Yes |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 制造商标准交货期: | 8 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（连锁商店）@的Vce: | 13.7nF @ 25V |
| 输入: | Three Phase Bridge Rectifier |
| IGBT类型: | - |
| 详细说明: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 1mA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 200A |
| 组态: | Three Phase Inverter |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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