GCMS008A120B1B1

Global Power Technologies Group

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型号 GCMS008A120B1B1
制造商 Global Power Technologies Group
描述 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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10 pcs
$768.845
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合计:
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产品特性

数据表

电压 - 隔离:2500Vrms
电压:1.2kV
类型:MOSFET
系列:-
封装/箱体:Power Module
制造商标准交货期:8 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
详细说明:Power Driver Module MOSFET Half Bridge 1.2kV 300A Power Module
当前:300A
组态:Half Bridge
Email:info@cjjhk.com

介绍

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