GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor
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| 型号 | GB02SHT06-46 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 600V 4A |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $56.37 | $52.713 | $45.705 | |||
产品特性
数据表
| 电压 - 正向（Vf）（最大）: | 1.6V @ 1A |
|---|---|
| 电压 - （Vr）（最大）: | 600V |
| 供应商设备封装: | TO-46 |
| 速度: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 系列: | - |
| 反向恢复时间（trr）: | 0ns |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| 其他名称: | 1242-1256 |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 225°C |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 18 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 二极管类型: | Silicon Carbide Schottky |
| 详细说明: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46 |
| 电流 - Vr时反向漏电: | 5µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流（Io）: | 4A (DC) |
| 电容@ Vr，F时: | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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