GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
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| 型号 | GA20JT12-247 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 | TRANS SJT 1.2KV 20A |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | - |
|---|---|
| Vgs（最大）: | - |
| 技术: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 供应商设备封装: | TO-247AB |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 70 mOhm @ 20A |
| 功率耗散（最大）: | 282W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-247-3 |
| 其他名称: | 1242-1188 GA20JT12247 |
| 工作温度: | 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET型: | - |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | - |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 1200V |
| 详细说明: | 1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 20A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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