FQD4P40TM
onsemi
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| 型号 | FQD4P40TM |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | P-channel Power Mosfet, Qfet?, -400 V, -2.7 A, 3.1 ?, Dpak |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.729 | $0.658 | $0.593 | $0.581 | ||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | D-Pak |
| 系列: | QFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名称: | FQD4P40TM-ND FQD4P40TMCT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 23 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 680pF @ 25V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 400V |
| 详细说明: | P-Channel 400V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 2.7A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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