FQB5N90TM

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FQB5N90TM
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型号 FQB5N90TM
制造商 onsemi
描述 N-Channel Power MOSFET, QFET?, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?, D2PAK
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 15170 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$1.593$1.438$1.297$1.269
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D²PAK (TO-263AB)
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:2.3 Ohm @ 2.7A, 10V
功率耗散(最大):3.13W (Ta), 158W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:FQB5N90TMCT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:12 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1550pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:40nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):900V
详细说明:N-Channel 900V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
电流 - 25°C连续排水(Id):5.4A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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