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FQB55N06TM

onsemi

FQB55N06TM
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型号 FQB55N06TM
制造商 onsemi
描述 N-CHANNEL POWER MOSFET
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 20316 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.988$0.892$0.805$0.787
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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±25V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D²PAK (TO-263AB)
系列:QFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:20 mOhm @ 27.5A, 10V
功率耗散（最大）:3.75W (Ta), 133W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:1690pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:46nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:10V
漏极至源极电压（Vdss）:60V
详细说明:N-Channel 60V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 133W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
电流 - 25°C连续排水（Id）:55A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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