FMP76-01T

IXYS Corporation

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型号 FMP76-01T
制造商 IXYS Corporation
描述 MOSFET N/P-CH
无铅状态/ RoHS状态
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
供应商设备封装:ISOPLUS i4-PAC™
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V
功率 - 最大:89W, 132W
封装/箱体:ISOPLUSi5-Pak™
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
制造商标准交货期:28 Weeks
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:197nC @ 10V, 104nC @ 10V
FET型:N and P-Channel, Common Drain
FET特点:Standard
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 100V 54A (Tc), 62A (Tc) 89W, 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
电流 - 25°C连续排水(Id):54A (Tc), 62A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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