FGY100T65SCDT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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型号 FGY100T65SCDT
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 FS3TIGBT TO247 100A 650V
无铅状态/ RoHS状态
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(美元)
450 pcs
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$7.813

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:1.9V @ 15V, 100A
测试条件:400V, 100A, 4.7 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:84ns/216ns
开关能量:5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
供应商设备封装:TO-247-3
系列:-
反向恢复时间(trr):62ns
功率 - 最大:750W
封装/箱体:TO-247-3 Variant
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
无铅状态:Lead free
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench Field Stop
栅极电荷:157nC
详细说明:IGBT Trench Field Stop 650V 200A 750W Through Hole TO-247-3
电流 - 集电极脉冲(ICM):300A
电流 - 集电极(Ic)(最大):200A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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