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FGB30N6S2DT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB30N6S2DT
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型号 FGB30N6S2DT
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 IGBT 600V 45A 167W TO263AB
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.5V @ 15V, 12A
测试条件:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:6ns/40ns
开关能量:55µJ (on), 100µJ (off)
供应商设备封装:TO-263AB
系列:-
反向恢复时间（trr）:46ns
功率 - 最大:167W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:23nC
详细说明:IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
电流 - 集电极脉冲（ICM）:108A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:45A
基础部件号:FGB30N6
Email:info@cjjhk.com

介绍

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