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FGA60N65SMD

onsemi

FGA60N65SMD
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型号 FGA60N65SMD
制造商 onsemi
描述 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 4254 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$4.726$4.266$3.847$3.764
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合计：
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.5V @ 15V, 60A
测试条件:400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:18ns/104ns
开关能量:1.54mJ (on), 450µJ (off)
供应商设备封装:TO-3PN
系列:-
反向恢复时间（trr）:47ns
功率 - 最大:600W
封装:Tube
封装/箱体:TO-3P-3, SC-65-3
其他名称:FGA60N65SMD-ND
FGA60N65SMDFS
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Field Stop
栅极电荷:189nC
详细说明:IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
电流 - 集电极脉冲（ICM）:180A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:120A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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