FGA30N60LSDTU

onsemi

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型号	FGA30N60LSDTU
制造商	onsemi
描述	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Tube
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 14357 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$3.098	$2.797	$2.522	$2.468

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	1.4V @ 15V, 30A
测试条件:	400V, 30A, 6.8 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:	18ns/250ns
开关能量:	1.1mJ (on), 21mJ (off)
供应商设备封装:	TO-3P
系列:	-
反向恢复时间（trr）:	35ns
功率 - 最大:	480W
封装:	Tube
封装/箱体:	TO-3P-3, SC-65-3
其他名称:	FGA30N60LSDTU-ND FGA30N60LSDTUFS
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入类型:	Standard
IGBT类型:	Trench Field Stop
栅极电荷:	225nC
详细说明:	IGBT Trench Field Stop 600V 60A 480W Through Hole TO-3P
电流 - 集电极脉冲（ICM）:	90A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:	60A
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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