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FDT86102LZ

onsemi

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型号 FDT86102LZ
制造商 onsemi
描述 N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 6.6A, 28m
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 23683 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$1.337$1.207$1.089$1.065
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合计：
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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:3V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:SOT-223-4
系列:PowerTrench®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:28 mOhm @ 6.6A, 10V
功率耗散（最大）:2.2W (Ta)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-261-4, TO-261AA
其他名称:FDT86102LZFSCT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:25 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:1490pF @ 50V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:4.5V, 10V
漏极至源极电压（Vdss）:100V
详细说明:N-Channel 100V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
电流 - 25°C连续排水（Id）:6.6A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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