FDS6162N7

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FDS6162N7
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型号 FDS6162N7
制造商 onsemi
描述 Trans Mosfet N-ch 20V 23A 8SOIC
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 16025 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$1.944$1.754$1.582$1.548
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合计:
$1.944

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-SO
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:3.5 mOhm @ 23A, 4.5V
功率耗散(最大):3W (Ta)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:FDS6162N7_NLCT
FDS6162N7_NLCT-ND
FDS6162N7CT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5521pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:73nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2.5V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:N-Channel 20V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
电流 - 25°C连续排水(Id):23A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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