FDN028N20
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| 型号 | FDN028N20 |
|---|---|
| 制造商 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.53 | $0.443 | $0.332 | $0.243 | $0.188 | |
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±12V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SuperSOT-3 |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| 功率耗散(最大): | 1.5W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | FDN028N20OSCT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 6 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 600pF @ 10V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 2.5V, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 6.1A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SuperSOT-3 |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 6.1A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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