FDMS4D0N12C

onsemi

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型号 FDMS4D0N12C
制造商 onsemi
描述 PowerTrench? MOSFET, N-Channel Shielded Gate, 120V, 118A, 4.0m
无铅状态/ RoHS状态
有现货 15487 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$3.243$2.927$2.64$2.583
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 370A
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-PQFN (5x6)
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4 mOhm @ 67A, 10V
功率耗散(最大):2.7W (Ta), 106W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-PowerTDFN
其他名称:FDMS4D0N12C-ND
FDMS4D0N12COSTR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:39 Weeks
无铅状态:Lead free
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:6460pF @ 60V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:82nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):6V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):120V
详细说明:N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
电流 - 25°C连续排水(Id):18.5A (Ta), 114A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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