FDMQ8203
onsemi
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| 型号 | FDMQ8203 |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | This quad mosfet solution provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge. |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.074 | $0.97 | $0.874 | $0.855 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 12-MLP (5x4.5) |
| 系列: | GreenBridge™ PowerTrench® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| 功率 - 最大: | 2.5W |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | 12-WDFN Exposed Pad |
| 其他名称: | FDMQ8203CT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 6 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 210pF @ 50V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 5nC @ 10V |
| FET型: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 100V, 80V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 3.4A, 2.6A |
| 基础部件号: | FDMQ8203 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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