FDMC86260ET150

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86260ET150
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型号 FDMC86260ET150
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 273 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$2.77$2.505$2.013$1.565$1.297
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数量:
合计:
$2.77

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:Power33
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:34 mOhm @ 5.4A, 10V
功率耗散(最大):2.8W (Ta), 65W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:8-PowerWDFN
其他名称:FDMC86260ET150CT
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:39 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1330pF @ 75V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:21nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):6V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):150V
详细说明:N-Channel 150V 5.4A (Ta), 25A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
电流 - 25°C连续排水(Id):5.4A (Ta), 25A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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