FDMC2610

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FDMC2610
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型号 FDMC2610
制造商 onsemi
描述 N-Channel Trench? MOSFET, UltraFET, 200V, 9.5A, 200m
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 25164 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$1.433$1.294$1.167$1.141
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-MLP (3.3x3.3)
系列:UniFET™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:200 mOhm @ 2.2A, 10V
功率耗散(最大):2.1W (Ta), 42W (Tc)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:8-PowerWDFN
其他名称:FDMC2610DKR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:960pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:18nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):6V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
详细说明:N-Channel 200V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
电流 - 25°C连续排水(Id):2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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