FDFMA2N028Z

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FDFMA2N028Z
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型号 FDFMA2N028Z
制造商 onsemi
描述 Integrated N-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68m
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 31920 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.304$0.275$0.248$0.242
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:6-MicroFET (2x2)
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
功率耗散(最大):1.4W (Tj)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-VDFN Exposed Pad
其他名称:FDFMA2N028ZTR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:39 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:455pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:6nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:Schottky Diode (Isolated)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2.5V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:N-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
电流 - 25°C连续排水(Id):3.7A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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