FDB8874

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FDB8874
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型号 FDB8874
制造商 onsemi
描述 MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 41016 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.415$0.375$0.338$0.33
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合计:
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-263AB
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4.7 mOhm @ 40A, 10V
功率耗散(最大):110W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:3130pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:72nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 21A (Ta), 121A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263AB
电流 - 25°C连续排水(Id):21A (Ta), 121A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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