FCU600N65S3R0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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型号	FCU600N65S3R0
制造商	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述	SUPERFET3 650V IPAK PKG
无铅状态/ RoHS状态

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参考价格 (美元)	1 pcs	75 pcs	150 pcs	525 pcs	1050 pcs
参考价格 (美元)	$1.67	$1.333	$1.166	$0.905	$0.714

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	4.5V @ 600µA
Vgs（最大）:	±30V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	I-PAK
系列:	SuperFET® III
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	600 mOhm @ 3A, 10V
功率耗散（最大）:	54W (Tc)
封装:	Tube
封装/箱体:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
其他名称:	FCU600N65S3R0-ND FCU600N65S3R0OS
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	Not Applicable
无铅状态:	Lead free
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	465pF @ 400V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	11nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	10V
漏极至源极电压（Vdss）:	650V
详细说明:	N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
电流 - 25°C连续排水（Id）:	6A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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