FCPF7N60NT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF7N60NT
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型号 FCPF7N60NT
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220F
系列:SupreMOS™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:520 mOhm @ 3.4A, 10V
功率耗散(最大):30.5W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3 Full Pack
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:39 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:960pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:35.6nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 6.8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F
电流 - 25°C连续排水(Id):6.8A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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