FCH125N65S3R0-F155

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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型号	FCH125N65S3R0-F155
制造商	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述	SUPERFET3 650V TO247 PKG
无铅状态/ RoHS状态

~~有现货~~ 450 pcs
参考价格 (美元)	1 pcs	10 pcs	450 pcs	900 pcs	1350 pcs
参考价格 (美元)	$5.60	$5.003	$3.702	$3.002	$2.801

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	4.5V @ 2.4mA
Vgs（最大）:	±30V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	TO-247-3
系列:	SuperFET® III
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	125 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散（最大）:	181W (Tc)
封装/箱体:	TO-247-3
其他名称:	FCH125N65S3R0-F155-ND FCH125N65S3R0-F155OS
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
无铅状态:	Lead free
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	1940pF @ 400V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	46nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	10V
漏极至源极电压（Vdss）:	650V
详细说明:	N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-247-3
电流 - 25°C连续排水（Id）:	24A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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