FCD360N65S3R0

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FCD360N65S3R0
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型号 FCD360N65S3R0
制造商 onsemi
描述 N-Channel Power MOSFET, SUPERFET? III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 m, DPAK
无铅状态/ RoHS状态
有现货 33606 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4.5V @ 1mA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D-PAK (TO-252)
系列:SuperFET® III
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:360 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散(最大):83W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称:FCD360N65S3R0-ND
FCD360N65S3R0OSTR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态:Lead free
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:730pF @ 400V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:18nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):650V
详细说明:N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
电流 - 25°C连续排水(Id):10A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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