EPC2036

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型号 EPC2036
制造商 EPC
描述 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide...
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 39998 pcs
参考价格
(美元)
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$0.69$0.623$0.562$0.549
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 600µA
Vgs(最大):+6V, -4V
技术:GaNFET (Gallium Nitride)
供应商设备封装:Die
系列:eGaN®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:65 mOhm @ 1A, 5V
功率耗散(最大):-
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:Die
其他名称:917-1100-2
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:90pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.91nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):5V
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
电流 - 25°C连续排水(Id):1A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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