EPC2033ENGR
EPC
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产品特性
数据表
| 电压 - 测试: | 1140pF @ 75V |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | Die |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| 技术: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 系列: | eGaN® |
| RoHS状态: | Tray |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 31A (Ta) |
| 极化: | Die |
| 其他名称: | 917-EPC2033ENGR |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号: | EPC2033ENGR |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 10nC @ 5V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 2.5V @ 9mA |
| FET特点: | N-Channel |
| 展开说明: | N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | - |
| 描述: | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 150V |
| 电容比: | - |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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