EMF17T2R

LAPIS Semiconductor

EMF17T2R
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型号 EMF17T2R
制造商 ROHM
描述 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/150mA 6-Pin EMT T/R
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 8280 pcs
参考价格
(美元)
8000 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
晶体管类型:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
供应商设备封装:EMT6
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):2.2 kOhms
电阻器 - 基座(R1):2.2 kOhms
功率 - 最大:150mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-563, SOT-666
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz, 140MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA, 150mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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