ECH8601M-TL-H-P

onsemi

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型号 ECH8601M-TL-H-P
制造商 onsemi
描述 MOSFET 2N-CH
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 1073 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.3V @ 1mA
供应商设备封装:8-ECH
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:23 mOhm @ 4A, 4.5V
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SMD, Flat Lead
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:7.5nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点:Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss):24V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
电流 - 25°C连续排水(Id):8A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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