DTC363EUT106
LAPIS Semiconductor
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| 型号 | DTC363EUT106 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM |
| 描述 | Trans Prebias NPN 200MW UMT3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 20V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| 晶体管类型: | NPN - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | UMT3 |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 6.8 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 6.8 kOhms |
| 功率 - 最大: | 200mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SC-70, SOT-323 |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 200MHz |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 600mA |
| 基础部件号: | DTC363 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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