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DTA123JCAT116

LAPIS Semiconductor

DTA123JCAT116
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型号 DTA123JCAT116
制造商 LAPIS Semiconductor
描述 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
询价
参考价格
(美元)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
$0.04$0.035$0.029
30000 pcs75000 pcs150000 pcs
$0.028$0.026$0.023
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目标价：(USD)
数量：
合计：
$0.04

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:20V
Vce饱和（最大）@ IB，IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型:PNP - Pre-Biased
供应商设备封装:SST3
系列:-
电阻器 - 发射器底座（R2）:47 kOhms
电阻器 - 基座（R1）:2.2 kOhms
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:DTA123JCAMGT116
DTA123JCAT116TR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:10 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:80 @ 10mA, 5V
电流 - 集电极截止（最大）:500nA
电流 - 集电极（Ic）（最大）:100mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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