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DMS3012SFG-7

Diodes Incorporated

DMS3012SFG-7
图片只作为参考
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型号 DMS3012SFG-7
制造商 Diodes Inc.
描述 N-Channel 30 V 10 mOhm Enhancement Mode Mosfet -POWERDI 3333-8
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 58846 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.134$0.121$0.109$0.106
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数量：
合计：
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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerDI3333-8
系列:-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:10 mOhm @ 13.5A, 10V
功率耗散（最大）:890mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-PowerWDFN
其他名称:DMS3012SFG-7DITR
DMS3012SFG7
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:32 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:4310pF @ 15V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:14.7nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:Schottky Diode (Body)
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:4.5V, 10V
漏极至源极电压（Vdss）:30V
详细说明:N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
电流 - 25°C连续排水（Id）:12A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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