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DMNH10H028SPSQ-13

Diodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ-13
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型号 DMNH10H028SPSQ-13
制造商 Diodes Incorporated
描述 MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 测试:2245pF @ 50V
电压 - 击穿:PowerDI5060-8
VGS（TH）（最大）@标识:28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（最大）:10V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
系列:-
RoHS状态:Tape & Reel (TR)
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:40A (Tc)
极化:8-PowerTDFN
其他名称:DMNH10H028SPSQ-13DITR
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:16 Weeks
制造商零件编号:DMNH10H028SPSQ-13
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:36nC @ 10V
IGBT类型:±20V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:4V @ 250µA
FET特点:N-Channel
展开说明:N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
漏极至源极电压（Vdss）:-
描述:MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
电流 - 25°C连续排水（Id）:100V
电容比:1.6W (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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