DMN62D1LFD-13

Diodes Incorporated

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型号	DMN62D1LFD-13
制造商	Diodes Incorporated
描述	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

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参考价格 (美元)	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.077

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	1V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	X1-DFN1212-3
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	2 Ohm @ 100mA, 4V
功率耗散（最大）:	500mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	3-UDFN
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
制造商标准交货期:	16 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	36pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.55nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	1.8V, 4V
漏极至源极电压（Vdss）:	60V
详细说明:	N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
电流 - 25°C连续排水（Id）:	400mA (Ta)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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型号	制造商	描述	查看
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