DMN2600UFB-7
Diodes Incorporated
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| 型号 | DMN2600UFB-7 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | Single N-Channel 25 V 600 mOhm 0.85 nC 0.54 W Silicon SMT Mosfet UFDFN-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.087 | $0.078 | $0.071 | $0.069 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 540mW (Ta) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | 3-UFDFN |
| 其他名称: | DMN2600UFB-7DIDKR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 40 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 70.13pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 0.85nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 25V |
| 详细说明: | N-Channel 25V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 1.3A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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