DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

DMN2010UDZ-7
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型号 DMN2010UDZ-7
制造商 Diodes Incorporated
描述 MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.5V @ 250µA
供应商设备封装:U-DFN2535-6
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
功率 - 最大:700mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-UDFN Exposed Pad
其他名称:DMN2010UDZ-7-ND
DMN2010UDZ-7DITR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:20 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2665pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:33.2nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点:Standard
漏极至源极电压(Vdss):24V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 700mW Surface Mount U-DFN2535-6
电流 - 25°C连续排水(Id):11A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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