DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated
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| 型号 | DMN10H170SFDE-7 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | Mosfet, N-Ch, 100V, 2.9A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.244 | $0.22 | $0.199 | $0.194 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 测试: | 1167pF @ 25V |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs（最大）: | 4.5V, 10V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tape & Reel (TR) |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 2.9A (Ta) |
| 极化: | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称: | DMN10H170SFDE-7DITR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 16 Weeks |
| 制造商零件编号: | DMN10H170SFDE-7 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 9.7nC @ 10V |
| IGBT类型: | ±20V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET特点: | N-Channel |
| 展开说明: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | - |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 100V |
| 电容比: | 660mW (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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