DDTC115EE-7-F

Diodes Incorporated

DDTC115EE-7-F
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型号 DDTC115EE-7-F
制造商 Diodes Inc.
描述 Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R / TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 58138 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型:NPN - Pre-Biased
供应商设备封装:SOT-523
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):100 kOhms
电阻器 - 基座(R1):100 kOhms
功率 - 最大:150mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-523
其他名称:DDTC115EE-FDITR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:82 @ 5mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:DDTC115
Email:info@cjjhk.com

介绍

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