CSD87503Q3E

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型号 CSD87503Q3E
制造商 N/A
描述 30-V, N channel NexFET? power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3 mm, 21.9 mOhm 8-VSON -55 to 150
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 26892 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.1V @ 250µA
供应商设备封装:8-VSON (3.3x3.3)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:13.5 mOhm @ 6A, 10V
功率 - 最大:15.6W
封装/箱体:8-PowerVDFN
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:35 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1020pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:17.4nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点:Standard
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 10A (Ta) 15.6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
电流 - 25°C连续排水(Id):10A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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