CSD18536KTT

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型号 CSD18536KTT
制造商 N/A
描述 60-V, N channel NexFET? power MOSFET, single D2PAK, 1.6 mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
无铅状态/ RoHS状态 含铅/符合RoHS
有现货 11350 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$3.33$3.006$2.711$2.652
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目标价:(USD)
数量:
合计:
$3.33

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DDPAK/TO-263-3
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.6 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):375W (Tc)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
其他名称:296-44967-6
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):2 (1 Year)
制造商标准交货期:35 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:11430pF @ 30V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:140nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
详细说明:N-Channel 60V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
电流 - 25°C连续排水(Id):200A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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